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LYPCD-4000UHF在線局放儀數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠

新型電力系統(tǒng)的發(fā)展離不開電力電子技術(shù),功率器件是電力電子裝置的核心。要實現(xiàn)原始更新,不受制于國外技術(shù)影響,就要突破碳化硅器件和應用的關鍵核心技術(shù)。

碳化硅具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更大的電子飽和漂移速度。禁帶越寬,價帶電子要進入導帶成為自由電子所需的額外能量就越大,耐壓水平就越高;更高的導熱率可以實現(xiàn)更好的散熱性能,通流能力更大;碳化硅的電子飽和漂移速度是硅的2倍,可以使開關速度更快。

具有高電壓、大電流、快速開關特點的碳化硅器件十分適合用于新一代電力電子裝備。國家重點研發(fā)計劃戰(zhàn)略性先進電子材料重點專項負責人楊霏說:碳化硅器件理論上具有高結(jié)溫、高電壓、低損耗的特點,非常適合在電網(wǎng)應用。它的廣泛應用將推動電網(wǎng)的電力電子化進程。



概述(LYPCD-4000UHF在線局放儀數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠

系統(tǒng)介紹

可配合使用特高頻傳感器、TEV傳感器、聲電組合傳感器、超聲傳感器和寬頻帶電流互感器(HFCT)在線檢測變壓器、高壓開關柜、GIS、電纜接頭等高壓設備的局部放電情況。攜帶方便、測量快速,抗干擾能力強,便于現(xiàn)場使用。

其配置軟件具有實時波形圖、*大峰值顯示、定位等功能,軟件也可以詳查分析某個相位波形,窗口隨意放大和縮小,也可以對該段數(shù)據(jù)進行頻譜分析,分析放電波形的頻譜含量,使放電波形之間更具可比性,全方位統(tǒng)計分析試驗數(shù)據(jù),減少試驗中非穩(wěn)定性因素對試驗結(jié)果的影響。

本儀器采用自動或手動記錄保存試驗數(shù)據(jù)和瞬態(tài)放電波形,提供后期數(shù)據(jù)分析參考。

技術(shù)參數(shù)(LYPCD-4000UHF在線局放儀數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠

技術(shù)特性

 

通道數(shù)

2/4個電信號接口,1個外同步接口

采樣率

*大200MSa/s

采樣精度

12bit

量程范圍

100dB

量程切換

0-9共10檔

頻帶范圍

1Hz-60MHz

本量程非線性誤差

5%

檢測靈敏度

≥5pC(實驗室條件下);≥10pC(現(xiàn)場條件下)

圖譜顯示方式

二維PPRS顯示、三維PRPD顯示、正弦顯示、統(tǒng)計、頻譜(AE)5種顯示

電源模式

內(nèi)置鋰電池/AC 220V

顯示

 

顯示屏

6.5寸 TFT真彩色觸摸液晶顯示屏

分辨率

640×480

存儲

 

物理存儲

4GB

硬盤

32G固態(tài)硬盤 用于存儲試驗記錄及試驗數(shù)據(jù)

接口

 

RS232*1

用于與PC機同步傳輸接口

USB*2

可外接鼠標鍵盤,以及外接移動存儲設備

電源模式

電池供電(16.8V鋰電池)+外置電源(220V AC)

電信號接口

2/4路BNC接口,用于信號輸入

E-Trig接口

外同步接口

網(wǎng)口*1

用于連接網(wǎng)絡

接地鈕

外部接地用

通用說明

 

CPU

主頻1.6GHz

系統(tǒng)

WIN7

使用環(huán)境溫度

-20℃至60℃

存儲環(huán)境溫度

-20℃至85℃

尺寸

280*190*80 mm

重量

3.5kg

配置清單

主機

用于信號采集、波形顯示、數(shù)據(jù)處理、存儲

超聲波傳感器

用于測量局部放電產(chǎn)生的超聲波信號

檢測頻帶

20~200kHz

靈敏度

≤10 pC

增益

100dB

超高頻傳感器(UHF)

用于測量GIS中局部放電產(chǎn)生的超高頻信號

檢測頻率

300~1500MHz

HFCT(高頻電流互感器)

用于測量設備接地線中通過的局部放電信號

檢測波段

500kHz~30MHz

檢測靈敏度

-100dB/10pC

TEV傳感器

用于測量開關柜等高壓設備局部放電、定位

信號采集

電容式

檢測頻率

3~100MHz

測量范圍

-20~60dB/mV

聲電組合探測器

用于測量電纜接頭局部放電

超聲波傳感器

用于測量電纜接頭局部放電產(chǎn)生的超聲波信號

中心頻率

40kHz

靈敏度

≤10 pC

電信號傳感器

用于測量電纜接頭局部放電產(chǎn)生的電磁波信號

檢測頻帶

20k~1MHz

靈敏度

≤10 pC

引用標準(LYPCD-4000UHF在線局放儀數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠

高壓開關設備和控制設備標準的共用技術(shù)要求 DL/T 593

3.6kV~~40.5kV 交流金屬封閉開關設備和控制設備 DL/T 404

3.6kV~~40.5kV 交流金屬封閉開關設備和控制設備 GB 3906

局部放電測量GB/T 7354

電力設備局部放電現(xiàn)場測量導則 DL/T 417

高電壓試驗技術(shù) 第1部分:一般試驗要求 GB/T 16927.1

高電壓試驗技術(shù) 第2部分:測量系統(tǒng) GB/T 16927.2

高電壓試驗技術(shù) 第3 部分: 現(xiàn)場試驗的定義及要求 GB/T 16927.3

各種高壓設備測量

變壓器測量(LYPCD-4000UHF在線局放儀數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠

1、超聲波法檢測原理

當變壓器內(nèi)部產(chǎn)生放電信號時,除產(chǎn)生放電脈沖電流沿容性回路傳輸外,同時還會激發(fā)出機械波(超聲波)信號通過變壓器油向四周輻射傳播。雖然電力變壓器的結(jié)構(gòu)較為復雜,但是變壓器的整個器身內(nèi)充滿了變壓器油,而繞組、絕緣材料、支撐、夾件、引線等部件均浸在油中,由于變壓器油為超聲波的良好傳播媒介,這為在箱壁外側(cè)檢測局放產(chǎn)生的超聲信號提供了有力條件。所以,在變壓器的箱壁外側(cè)安放超聲波傳感器可以接收到內(nèi)部較大的放電信號。

2、 脈沖電流法檢測原理(HFCT)

由電力變壓器的結(jié)構(gòu)所決定,其繞組除匝間電容外還與鐵心之間存在幾百甚至幾千皮法的分布電容,同時繞組與油箱間也存在上百皮法的分布電容。當變壓器的繞組等主絕緣回路中發(fā)生局部放電時,其產(chǎn)生的高頻信號覆蓋了從幾十千赫茲到幾十兆赫茲,甚至到千兆赫茲,由于幾百皮法電容對于幾百千赫茲以上的高頻信號相當于通路,所以放電信號就會向所有與放電點有容性關系的回路中傳播,其中一條回路必然包括鐵心接地回路。所以在鐵心接地線上安裝高頻電流互感器可有效接收變壓器內(nèi)放電信號。

開關柜測量(LYPCD-4000UHF在線局放儀數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠

1、開關柜超聲波法檢測原理

局部放電現(xiàn)象存在多樣性特征,發(fā)生放電時,不僅輻射出電磁波信號,也會出現(xiàn)聲波發(fā)射現(xiàn)象,局部放電部分能量會以聲波的形式向周圍傳播。利用超聲波傳感器即可測試這些聲脈沖,從而也可反映局部放電的狀況。通過測試局部放電信號中聲波特征的方法稱為超聲波法。開關柜內(nèi)部放電過程中會產(chǎn)生聲波。放電產(chǎn)生的聲波的頻譜很寬,可以從幾十赫茲到幾十兆赫茲,其中頻率低于20 kHz 的信號能夠被人耳聽到,而高于這一頻率的超聲波信號必須用超聲波傳感器才能接收到。

2、 地電波法檢測原理(開關柜專用)

當開關柜的對地絕緣部分發(fā)生局部放電時,高壓帶電導體對接地金屬殼之間就有少量電容性放電電量,這種電容性放電電量的特點是電量很?。◣渍追种粠靷悾掷m(xù)時間很短(幾納秒)。由于放電點在開關柜內(nèi)部,電磁波產(chǎn)生的電壓脈沖在金屬外殼內(nèi)表面?zhèn)鞑?,被金屬外殼所屏蔽。如果屏蔽層是連續(xù)的,則無法在外部檢測到放電信號。實際上,屏蔽層通常在金屬箱體的接縫處、氣體開關的絕緣襯墊、墊圈的連接處、電纜絕緣終端等部位因破損而導致不連續(xù)。當電壓脈沖通過這些不連續(xù)處時,將通過這些通道傳播出去,然后沿著金屬殼外表傳到大地,同時在開關柜的金屬箱體上產(chǎn)生一個暫態(tài)對地電壓(一般在幾十毫伏到幾伏,而且時間只能維持幾納秒),可以在運行中的開關柜金屬外箱殼上放置電容耦合式傳感器來檢測這個信號。

暫態(tài)對地電壓法檢測部位主要是母排(連接處、穿墻套管,支撐絕緣件等)、斷路器,CT、PT、電纜接頭等部件所對應到開關柜柜壁的位置,這些部件大部分位于開關柜前面板中部及下部,后面板上部、中部及下部、側(cè)面板的上部、中部及下部。開關柜暫態(tài)對地電壓法檢測部位可參考圖 5進行測試。

電纜及附件測量

1、聲電組合探測器檢測原理

電纜發(fā)生局部放電時產(chǎn)生超聲波和電磁波,并以故障點為中心向四周輻射,其中電磁波傳播速度遠大于超聲波,在距離故障點一定距離測量時,電磁波信號與超聲波信號有時間差,根據(jù)時間差計算放電位置,組合探測器利用這一原理,同時測量電磁波信號和超聲波信號,根據(jù)信號時間差計算當前故障點所處位置。

2、脈沖電流法檢測原理(HFCT) 

在電纜中,導線和金屬屏蔽之間由絕緣材料隔開形成分布電容,該電容只有幾百皮法,對高頻信號為良導體。因此,高頻的局放信號由分布電容對接地引線構(gòu)成回路傳輸,在電纜接頭屏蔽接地線上安裝寬頻帶電流互感器(HFCT)可檢測到放電脈沖信號,并能夠確定局部放電的量值。

目前,在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局中,我國企業(yè)雖然在碳化硅襯底、外延和器件方面均有布局,但仍處于追趕階段。為打破國際壟斷,實現(xiàn)我國電力電子器件和裝備的原始更新,在國家重點研發(fā)計劃戰(zhàn)略性先進電子材料重點專項支持下,國網(wǎng)智研院于2012年成立碳化硅功率器件攻關團隊,自主攻關碳化硅芯片和封裝兩大核心關鍵技術(shù)。歷經(jīng)10年研究,相關技術(shù)達到國際同等水平并通過第三方檢測。

高壓模塊多芯片并聯(lián)封裝對芯片提出了電壓高、電流大、一致性好的更高要求。碳化硅功率器件攻關團隊基于自主研制的低缺陷厚外延材料,提出了低表面電場強度的高壓芯片終端結(jié)構(gòu),攻克了高質(zhì)量柵氧、短溝道自對準技術(shù)等關鍵工藝,破解了設計和工藝兼容性差、導通電阻大、碎片率高等難題,在國內(nèi)第1次掌握了6英寸碳化硅芯片全流程工藝。團隊于國內(nèi)第1次批量研制了具有高耐壓、高通流能力的6.5千伏/25安碳化硅芯片。該芯片通過了高溫柵偏、高溫反偏等系列可靠性測試,芯片技術(shù)指標達到國際產(chǎn)品同等水平,部分關鍵指標優(yōu)于國際同型器件。

高壓大容量碳化硅器件封裝則面臨著并聯(lián)封裝的電磁熱均衡難、高電場強度下的絕緣配合難、碳化硅封裝的工藝尚處于空白狀態(tài)的挑戰(zhàn)。攻關團隊攻克了高壓絕緣設計、高導熱性焊接、高可靠性絕緣灌封等核心技術(shù),突破了高壓、低寄生參數(shù)封裝的技術(shù)瓶頸,更新提出了基于轉(zhuǎn)移曲線距離系數(shù)的芯片聚類分組方法,解決了大電流封裝面臨的多芯片并聯(lián)均流難題,研制了國際上同電壓等級中電流*大的6.5千伏/400安碳化硅MOSFET模塊。

 

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